化学球硅微粉-CC系列


采用高纯硅原料,经化学合成、表面处理、超微分级等多道工艺制备而成,适配高速覆铜板(高速 CCL)。

纯度高、粒度分布窄、球化率高、流动性好。

介电性能好、热膨胀系数低、比表面积小,尤其适合于M6级及以上高频高速覆铜板。

单分散均匀颗粒,经过表面处理更易与树脂结合。

推荐应用: HDI、高频高速、载板、FCCL 、LCP、ABF

采用高纯硅原料,经化学合成、表面处理、超微分级等多道工艺制备而成,适配高速覆铜板(高速 CCL)。

纯度高、粒度分布窄、球化率高、流动性好。

介电性能好、热膨胀系数低、比表面积小,尤其适合于M6级及以上高频高速覆铜板。

单分散均匀颗粒,经过表面处理更易与树脂结合。

推荐应用: HDI、高频高速、载板、FCCL 、LCP、ABF

产品理化特性

 

项目

单位

CC-10

CC-30

CC-40

测试方法

粉体粒径

D50

μm

0.78

1.56

3.7

激光粒度分析

D99

μm

1.20

3.80

6.2

化学成分(SiO2

%

99.9

XRF

球化率

%

100.0

SEM

pH

——

6.5

6.0

5.5

酸碱测试仪

比表面积

m2/g

7.5

5.4

3.5

比表面积分析仪

介电损耗

——

0.0006

(10GHz)

0.00045

(10GHz)

0.00036

(10GHz)

石蜡压片法

热膨胀系数

ppm/℃

0.50

理论值

产品理化特性

 

项目

单位

CC-10

CC-30

CC-40

测试方法

粉体粒径

D50

μm

0.78

1.56

3.7

激光粒度分析

D99

μm

1.20

3.80

6.2

化学成分(SiO2

%

99.9

XRF

球化率

%

100.0

SEM

pH

——

6.5

6.0

5.5

酸碱测试仪

比表面积

m2/g

7.5

5.4

3.5

比表面积分析仪

介电损耗

——

0.0006

(10GHz)

0.00045

(10GHz)

0.00036

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石蜡压片法

热膨胀系数

ppm/℃

0.50

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